BSS816NW L6327参数：MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation30/Nov/2011标准包装：3,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@1.4A，2.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：750mV@3.7µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.6nC@2.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：180pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：SC-70，SOT-323供应商器件封装：PG-SOT323-3
