BSS8402DW

BSS8402DW-7
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BSS8402DW-7参数：MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V，50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA，130mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5欧姆@50mA，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363