BSS8402DW-7参数：MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V，50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA，130mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5欧姆@50mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
