BSS84LT1参数：MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：130mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10欧姆@100mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：30pF@5V功率-最大值：225mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
