BST82,215参数：MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：190mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 150mA，5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40pF @ 10V功率 - 最大值：830mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TO-236AB
