BSZ16DN25NS3 G参数：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：250V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 32µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 100V功率 - 最大值：62.5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：-
