BTS113A参数:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:500系列:TEMPFET®包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 5.8A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 25V功率 - 最大值:40W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:P-TO220AB