BTS115A参数：MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：TEMPFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：50V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：15.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 7.8A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：735pF @ 25V功率 - 最大值：50W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：P-TO220AB
