BTS282Z参数：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：TEMPFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：49V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 36A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 240µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：232nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4800pF @ 25V功率 - 最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-220-7 成形引线供应商器件封装：PG-TO220-7
