BUK9E1R6-30E,127参数：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：TrenchMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 毫欧 @ 25A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：113nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：16150pF @ 25V功率 - 最大值：349W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK
