BUK9K18-40E,115参数：MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK56D
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1,500系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1061pF @ 25V功率 - 最大值：38W安装类型：表面贴装封装：SOT1205，8-LFPAK56供应商器件封装：LFPAK56D
