BUK9MJT-55PRF,518参数：MOSFET N-CH DUAL 55V 20SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.8 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装：20-SO
