BUP213参数:IGBT 1200V 32A TO-220
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品变化通告: ProductDiscontinuation26/Feb/2009标准包装:50系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):3.2V@15V,15A电流-集电极(Ic)(最大值):32ACurrent-CollectorPulsed(Icm):64A功率-最大值:200WSwitchingEnergy:-输入类型:标准GateCharge:-Td(on/off)A25°C:70ns/400nsTestCondition:600V,15A,82欧姆,15V反向恢复时间(trr):-封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB