BUT11-S参数：NPN TRANSISTOR 850V 5A
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路产品变化通告： TISPSeriesObsolescenceFeb/2013标准包装：12,000系列：-包装：管件晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大值）：5A电压-集射极击穿（最大值）：400V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：1.5V@600mA，3A电流-集电极截止（最大值）：50µA不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：20@500mA，5V功率-最大值：100W频率-跃迁：12MHz安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
