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BUZ30

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BUZ30A 优势库存
infineon
TO-220
2023+
395
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BUZ30AHXKSA1
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INFINEON
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BUZ30A
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BUZ305
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9928
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BUZ304
SIEMENS
TO-218
2023+
2278
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BUZ30
220
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BUZ30AH3045A
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2023+
2011
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BUZ30AE3045A
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BUZ30A
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BUZ30ASMD
INFINEON
P-TO263-3-1
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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BUZ30A
INFINEON
P-TO220-3-1
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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BUZ308
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2023+
7000
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BUZ30AL3045A
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全新进口原装现货,保证质量
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BUZ30A
INFINEON
原厂标准封装
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原装进口 优势现货 价格最..
BUZ30A
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全新原装正品特价优惠
BUZ305
N/A
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全新原装现货，价格优惠
BUZ30AL3045A
Infineon
D2PAK-3
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12300
【【原装绝对有货】】
BUZ30AH3045A
Infineon
D2PAK-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
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库房现货原装进口
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英飞凌
TO-263)
2023+
5000
低价格.高品质.服务好.现..
BUZ30A
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相关型号： BUZ11_R4941 BUZ11_NR4941 BUZ10 BUY69A BUXD87T4 BUX98APW

BUZ30A
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BUZ30A参数：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@13.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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