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BUZ31L

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BUZ31L
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BUZ31L参数：MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：500
系列：SIPMOS®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@7A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@25V
功率-最大值：95W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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