BUZ30A参数：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008标准包装：500系列：SIPMOS®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@13.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：1900pF@25V功率-最大值：125W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
