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BZX84C12V

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BZX84C12VLT1G 优势库存
ON
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BZX84C12V
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BZX84C12VNEO
ITT
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相关型号： BZX84C12TS-7-F BZX84C12-TP BZX84C12T-7-F BZX84C12S-7-F BZX84C12S-7 BZX84C12LT3G

BZX84C12
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BZX84C12参数：DIODE ZENER 12V 350MW SOT23-3

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 ZenerWafers29/May/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
电压-齐纳（标称值）(Vz)：12V
容差：±5%
不同?Vr时的电流-反向漏电流：100nA@8V
功率-最大值：350mW
阻抗（最大值）(Zzt)：25欧姆
不同If时的电压-正向(Vf)：900mV@10mA
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
工作温度：-55°C~150°C

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