C2M0080120D参数：SIC MOSFET N-CH 1200V 31A TO247
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver标准包装：30系列：Z-FET™包装：散装FET类型：SiCFETN通道，碳化硅FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：31.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：98毫欧@20A，20V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：49.2nC@20V不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@1000V功率-最大值：208W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247-3
