CM150DUS-12F参数：IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：IGBTMOD™IGBT 类型：沟道配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，150A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A电流 - 集电极截止（最大值）：1mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：41nF @ 10V功率 - 最大值：520W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：模块供应商器件封装：模块
