CPC5603C参数:MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:200系列:-包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:耗尽模式漏源极电压 (Vdss):415V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 50mA,350mV不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 0V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223