CPH6615

CPH6615-TL-E
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CPH6615-TL-E参数：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： CPH6PackageP,N,N/P,DualNChannelTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A，1.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：187pF@10V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-CPH