CSD16327Q3参数：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：25V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 24A，8V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 12.5V功率 - 最大值：3W安装类型：表面贴装封装：8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
