CSD16415Q5参数：MOSFET N-CH 25V 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.15毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.9V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4100pF@12.5V功率-最大值：3.2W安装类型：表面贴装封装：8-TDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-SON-EP（5x6）
