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CSD17313Q2

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CSD17313Q2T
Texas Instrume..
6-WSON（2x2）
2023+
11938
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6203
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6-WSON（2x2）
2023+
2500
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6-WSON（2x2）
2023+
6617
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6-SMD,
2023+
6350
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6-SON
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6000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
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CSD17313Q2
原装正品
原厂封装
2023+
9850
一级代理分销/全新现货/长..
CSD17313Q2
CSD
SMD
2023+
5,399
全新原装，香港现货
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TI
2023+
1,500
全新原装，香港现货
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6-SON (2x2)
2023+
21000
全新原装正品 原厂支持供货..
CSD17313Q2Q1
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6-SON (2x2)
2023+
3000
全新原装正品 原厂支持供货..
CSD17313Q2
TI
SON6
2023+
2368
只做原装正品现货
相关型号： CSD17312Q5 CSD17311Q5 CSD17310Q5A CSD17309Q3 CSD17308Q3 CSD17307Q5A

CSD17313Q2
PDF资料下载

CSD17313Q2参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
标准包装：3,000
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@4A，8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：340pF@15V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：6-SON（2x2）

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