CSD17381F4参数：MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：109 毫欧 @ 500mA， 8A不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1350pC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：195pF @ 15V功率 - 最大值：500mW安装类型：*封装：3-XDFN供应商器件封装：0402
