CSD18533Q5A参数:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:NexFET™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2750pF @ 30V功率 - 最大值:3.2W安装类型:表面贴装封装:8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-SON(5x6)