CSD18501Q5A参数：MOSFET N-CH 40V 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.2毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3840pF@20V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-SON（5x6）
