CSD23201W10参数：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：82毫欧@500mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：325pF@6V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：4-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：4-DSBGA（1x1）
