CSD25303W1015参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：58毫欧@1.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：435pF@10V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：6-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
