CSD25301W1015参数：MOSFET PCH 20V 2.2A 1X1.5 6DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@10V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：6-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
