CSD25401Q3参数：MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.7毫欧@10A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@10V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：8-TDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-SON
