CSD75205W1015参数：MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：850mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：265pF@10V功率-最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：6-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
