CSD75211W1723参数:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: NexFETMOSFETTechnology视频文件: NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装:3,000系列:NexFET™包装:带卷(TR)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):40毫欧@2A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):600pF@10V功率-最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:12-UFBGA,DSBGA供应商器件封装:12-DSBGA(1.53x1.98)