CSD75301W1015参数:MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: NexFETMOSFETTechnology视频文件: NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装:3,000系列:NexFET™包装:带卷(TR)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):100毫欧@1A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):2.1nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):195pF@10V功率-最大值:800mW安装类型:表面贴装封装:6-UFBGA,DSBGA供应商器件封装:6-DSBGA(1x1.5)