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CSD86330Q3D

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CSD86330Q3D
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CSD86330Q3D参数：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview
特色产品： CSD86330Q3DNexFET?PowerBlock CSD86330Q3DPowerBlockandTPS53219BuckController
标准包装：2,500
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.6毫欧@14A，8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.2nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：920pF@12.5V
功率-最大值：6W
安装类型：表面贴装
封装：8-LDFN
供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）

CSD86330Q3D

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