CSD86350Q5D参数：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview特色产品： CSD86350Q5DSynchronousBuckNexFET?PowerBlockReferenceDesignLibrary： CSD86350Q5DEVM-604:1.2V@25A,8~13Vin标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个N通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@20A，8V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1870pF@12.5V功率-最大值：13W安装类型：表面贴装封装：8-LDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-SON（5x6）
