CSD87312Q3E参数：MOSFET N-CH 30V 27A DL 8VSON
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：2?N 沟道（双）共源FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：27A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 7A， 8V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）
