CSD86311W1723参数：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview标准包装：3,000系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@2A，8V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：585pF@12.5V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：12-UFBGA，DSBGA供应商器件封装：12-DSBGA（1.53x1.98）
