DME914C10R参数：TRANS ARRAY NPN/PNP RES SSMINI6
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式标准包装：8,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，500mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，12V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA电流 - 集电极截止（最大值）：500nA频率 - 跃迁：300MHz功率 - 最大值：125mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SSMini6-F3-B
