DMG1026UV-7参数：MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：410mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.8欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.45nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：32pF@25V功率-最大值：580mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
