DMG3415UFY4-7参数：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：16V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：281.9pF@10V功率-最大值：490mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：DFN2015H4-3
