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DMG3415UFY4

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DMG3415UFY4Q-7-52
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-
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DMG3415UFY4Q-7
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X2-DFN2015-3
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DMG3415UFY4-7
Diodes Incorpo..
DFN2015H4-3
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DiodesInc代理分销
3-XFDFN
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相关型号： DMG3415U-7 DMG3414U-7 DMG3401LSN-7 DMG264H00R DMG264120R DMG264060R

DMG3415UFY4-7
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DMG3415UFY4-7参数：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：16V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：281.9pF@10V
功率-最大值：490mW
安装类型：表面贴装
封装：3-XFDFN
供应商器件封装：DFN2015H4-3

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