DMG3415U-7参数:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: SOT-23PackageTop SOT-23PackageSide1 SOT-23PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):39毫欧@4A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.1nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):294pF@10V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3