DMG4468LFG参数：MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.62A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 11.6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.85nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：867pF @ 10V功率 - 最大值：990mW安装类型：表面贴装封装：8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3030 EP（3x3）
