DMG4800LFG-7参数：MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.44A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：17毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.47nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：798pF@10V功率-最大值：940mW安装类型：表面贴装封装：8-UDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3030（3x3）
