DMG4800LSD

DMG4800LSD-13
PDF资料下载

DMG4800LSD-13参数：MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.54A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.6V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.56nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：798pF@10V
功率-最大值：1.17W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP