DMG6602SVT-7参数：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A，2.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 15V功率 - 最大值：1.12W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：TSOT-23-6
