DMG8601UFG-7参数：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@6.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：950mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：143pF@10V功率-最大值：920mW安装类型：表面贴装封装：8-UDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3030（3x3）
