DMN10H170SK3-13参数：MOSFET N CH 100V 12A TO252
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1167pF@25V功率-最大值：42W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252
